Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme IKTSVon nΩ bis GΩ bei Temperaturen von -40 bis zu 1000 °C und den unterschiedlichsten Prüfgeometrien: Mit den Sondermessverfahren für Hochleistungselektronik des Fraunhofer IKTS können Ihre Produkte entlang der gesamte Widerstands- und Temperaturskala gemessen werden.
Dafür entwickelt die Abteilung »Hybride Mikrosysteme« funktionskeramische Werkstoffe für den Einsatz in harschen Umgebungen. Diese Werkstoffe können mit Hilfe verschiedenster Synthese-, Aufbau-, Füge-, Schichtabscheidungs- und Strukturierungsmethoden je nach Anforderung und Kundenwunsch verarbeitet und in komplexen Mikrosystemen appliziert werden.
Zur Bestimmung der Performanz, Qualität und Sicherheit der Werkstoffe und Bauteile bietet die IKTS-Gruppe »Systemintegration und AVT« Sondermessverfahren an, mit denen die Zuverlässigkeit der Materialien und Produkte charakterisiert werden kann. Beispielsweise können elektrische und mechanische Eigenschaften im Langzeitverhalten analysiert sowie die Zuverlässigkeit von Montage- und Kontaktstellen oder Schichteigenschaften charakterisiert werden.
Sondermessverfahren für Hochleistungselektronik
Thema
Verfahren zur Messung elektrischer Eigenschaften im Überblick
Verfahren |
Spannungs-bereich |
Strom-bereich |
Pulsdauer/ Messzeit |
Dickschicht-widerstand relevant |
Zertifizierung |
Anwendung |
Elektrostatische Entladung (ESD) |
10–30 kV |
1–10 A |
ns |
Ja |
DIN EN 61000-4-2 | Gerätesicherheit, Dickschichtwiderstände |
Teilentladungsverhalten |
15 kV AC (10 kV DC) |
|
s, min, h |
Nein |
DIN EN 60270 |
Isolatoren |
Durchschlagsspannung |
500–2000 V |
10 mA |
min |
Nein |
DIN 41850 |
Isolationspaste |
Isolationswiderstand |
10–1000 V |
|
min |
Nein |
DIN 41850 |
Isolationspaste |
Short term overload (STOL) |
100 V |
1–10 A |
5 s |
Ja |
MIL STD 883 |
Max. Verlustdichte von Dickschichtwiderständen |
Stromtragfähigkeit |
10 V |
1–100 A |
ms–s |
Ja |
Kundenspezifisch |
Max. Stromtragfähigkeit kombiniert mit Erwärmung, Power Cycling, Alterung |
Erfahren Sie hier mehr zu den Vorzügen der einzelnen elektrischen Sondermessverfahren für Hochleistungselektronik am Fraunhofer IKTS.
Verfahren zur Messung mechanischer Eigenschaften im Überblick
Verfahren |
Min. Prüfkraft |
Max. Prüfkraft |
Mögl. Tempera-turbereich |
Beispielnorm |
Anwendung |
Zugversuche |
10 mN |
10 kN |
RT |
|
Schälfestigkeiten gelöteter, geklebter oder gesinterter Verbindungen |
Pulltest |
10 mN |
1 kN |
RT … 600 °C |
DVS Merkblatt 2810/2811 |
z. B. Drahtbondverbindungen |
Schertest |
10 mN |
1 kN |
RT … 600 °C |
DVS Merkblatt 2810/2811 |
z. B. montierte Bauelemente |
Erfahren Sie hier mehr zu den Vorzügen der einzelnen mechanischen Sondermessverfahren für Hochleistungselektronik am Fraunhofer IKTS.
Leistungsangebot
- Elektrische Messverfahren für Hochleistungselektronik: Elektrostatische Entladung (ESD), Teilentladung, Durchschlagsspannung, Isolationswiderstand, Short term overload (STOL), Stromtragfähigkeit
- Mechanische Messverfahren für Hochleistungselektronik: Zug- und Schälversuche, Pull- und Schertests
- Power Cycling
- Verfahren zur Lebensdaueranalyse
- Infrarotcharakterisierung
- Verfahren zur Serien- und Inlineprüfung
- Kundenangepasste Methode zur Prüfung der thermischen, elektrischen und mechanischen Sicherheit und Zuverlässigkeit von Bauteilen