SaxCrystalPower-Invest: Forschungsinfrastruktur für SiC-Halbleiter-Herstellung und -charakterisierung zur Stärkung Sachsens Leistungselektronikbranche

Projekt

Im Projekt SAXCRYSTALPOWER-INVEST werden zwei eng aufeinander bezogene Forschungsinfrastruktur-Anlagen (forschungsorientierte PVT-SiC-Einkristallzuchtanlage und In-situ-3D-TEM-Plattform) angeschafft. Mit diesen lassen sich optimierte SiC-Einkristalle hoher Güte für die Anwendung in der zukünftigen Leistungselektronik bereitstellen. Erst diese Kombination beider Anlagen führt zu einem tieferen Verständnis des Einflusses der SiC-Kristallprozessierung auf Defekte und damit auf die Funktionalität der SiC-Leistungselektronik.

Die Forschungsinfrastruktur trägt dazu bei, durch Innovationen auf Basis von SiC-Technologien die Wettbewerbsfähigkeit der Industrie zu stärken, tatsächliche Technologietransferleistungen von SiC-Innovationen in die Wirtschaft zu erhöhen. Zudem werden die Anlagen der Hochschulbildung sowie Open-Access-Forschung zur Verfügung stehen. Damit kann das IKTS Impulsgeber in den Zukunftsfeldern Mobilität, Energie und Rohstoffe sowie bei Schlüsseltechnologien, wie neuen Materialien für die Nanoelektronik und den Quantentechnologien, werden.

Projektzeitraum: September 2024 – August 2026

Gefördert durch: Sächsische Aufbaubank