Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme IKTSDie Herstellung von SiC-Werkstoffen mit ausreichender Reinheit für elektronische Anwendungen, erfordert eine von der konventionellen Fertigung separierte Anlagenlinie. Auf Anforderung besteht die Möglichkeit, entsprechende Anlagen am Fraunhofer IKTS bereitzustellen und alle bekannten SiC-Werkstofftypen mit definierten Reinheitsanforderungen herzustellen. Erfahrungen liegen auf dem Gebiet von Si-SiC vor. Prinzipiell können auch S-SiC, R-SiC und LPS-SiC entsprechend hergestellt werden. Zum Einbringen von definierten Mengen an Dotierungen sind entsprechende Konzepte und Technologien zu entwickeln.
Leistungsangebot
- Anlagenaufbau für definierte Reinheiten von SiC-Werkstoffen/Bauteilen
- Konzepterstellung zur Dotierung von SiC-Bauteilen
- Technologieentwicklung für dotierte SiC-Bauteile
- Messung von Ladungsträgerkonzentrationen und elektrischem Widerstand
Technische Ausstattung
- Ausbaufähige Anlagentechnik zur Herstellung von SiC-Werkstoffen
- Hall-Messstand
- Widerstandsmessstand
Beispiele/Referenzen
- Hochreine Si-SiC-Bauteile für Waferfertigung