Carbidkeramik

Gruppe

Mikroelektronik und Hochreines SiC

Thema

Die Herstellung von SiC-Werkstoffen mit ausreichender Reinheit für elektronische Anwendungen, erfordert eine von der konventionellen Fertigung separierte Anlagenlinie. Auf Anforderung besteht die Möglichkeit, entsprechende Anlagen am Fraunhofer IKTS bereitzustellen und alle bekannten SiC-Werkstofftypen mit definierten Reinheitsanforderungen herzustellen. Erfahrungen liegen auf dem Gebiet von Si-SiC vor. Prinzipiell können auch S-SiC, R-SiC und LPS-SiC entsprechend hergestellt werden. Zum Einbringen von definierten Mengen an Dotierungen sind entsprechende Konzepte und Technologien zu entwickeln.

 

Leistungsangebot

 

  • Anlagenaufbau für definierte Reinheiten von SiC-Werkstoffen/Bauteilen 
  • Konzepterstellung zur Dotierung von SiC-Bauteilen 
  • Technologieentwicklung für dotierte SiC-Bauteile 
  • Messung von Ladungsträgerkonzentrationen und elektrischem Widerstand

 

Technische Ausstattung

 

  • Ausbaufähige Anlagentechnik zur Herstellung von SiC-Werkstoffen 
  • Hall-Messstand
  • Widerstandsmessstand

 

Beispiele/Referenzen

 

  • Hochreine Si-SiC-Bauteile für Waferfertigung